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活力书房 -历史 -晶体生长手册4蒸发及外延法晶体生长技术(英文) 哈尔滨工业大学出版社【新华书店正版图书书籍】

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晶体生长手册4蒸发及外延法晶体生长技术(英文) 哈尔滨工业大学出版社【新华书店正版图书书籍】书籍详细信息

  • ISBN：9787560338699
  • 作者：暂无作者
  • 出版社：暂无出版社
  • 出版时间：2013-01
  • 页数：417
  • 价格：61.00
  • 纸张：书写纸
  • 装帧：平装
  • 开本：16开
  • 语言：未知
  • 丛书：暂无丛书
  • TAG：暂无
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内容简介：

%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;《springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提

书籍目录：

缩略语PartD 晶体的气相生长23 SiC晶体的生长与表征23.1 SiC-背景与历史23.2 气相生长23.3 高温溶液生长23.4 籽晶升华的产业化体材料生长23.5 结构缺陷及其构造23.6

作者介绍：

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其它内容：

书籍介绍

《晶体生长手册4:蒸发及外延法晶体生长技术(影印版)》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。

书籍真实打分

  • 故事情节：7分

  • 人物塑造：5分

  • 主题深度：6分

  • 文字风格：8分

  • 语言运用：7分

  • 文笔流畅：5分

  • 思想传递：3分

  • 知识深度：5分

  • 知识广度：5分

  • 实用性：6分

  • 章节划分：9分

  • 结构布局：5分

  • 新颖与独特：6分

  • 情感共鸣：3分

  • 引人入胜：5分

  • 现实相关：4分

  • 沉浸感：5分

  • 事实准确性：9分

  • 文化贡献：8分

网站评分

  • 书籍多样性：5分

  • 书籍信息完全性：8分

  • 网站更新速度：3分

  • 使用便利性：4分

  • 书籍清晰度：7分

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  • 是否包含广告：7分

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  • 安全性：4分

  • 稳定性：7分

  • 搜索功能：9分

  • 下载便捷性：4分

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ISBN：9787560338699
出版社：暂无出版社
出版日期：2013-01
作者：暂无作者
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